天量利润背后：存储芯片价格暴涨

三星电子 2026 财年第二财季（2026 年 4 月至 6 月）实现营业总收入 171.5 万亿韩元，同比增长 130.00%。其中，存储芯片所在的 DS（设备解决方案）部门合计贡献了 71.27 万亿韩元（约 3290.54 亿元人民币）的收入，同比增长 1344.46%。

利润端的增长更为惊人。营业利润达到 89.49 万亿韩元（约合 4131.75 亿元人民币），同比增长 1813.83%。这意味着三星在这一季度平均每天净赚近 1000 亿韩元。

核心驱动力来自存储芯片——尤其是 AI 服务器所需的 HBM（高带宽内存）。全球 AI 基础设施建设的爆发式增长，将高端存储产能几乎全部吸走，导致标准 DRAM 和 NAND 闪存的合约价格在 2026 年上半年持续飙升。根据行业数据，2026 年一季度标准 DRAM 合约价格环比暴涨超过 90%。

三大巨头的"印钞机"模式

三星并非唯一受益者。SK 海力士和美光同样在这轮存储超级周期中获得了惊人的利润增长。

美光 2026 财年第三财季的营收高达 414.6 亿美元，同比暴增 346%，毛利率达到 84.9%。但分析师指出，这个惊人利润率的背后存在结构性问题——美光近一个季度 DRAM 销售额增长中，大约 90% 是由涨价驱动的，出货量仅增长了低个位数。

这种"涨价驱动型"增长，维持的前提是供给高度集中、定价权牢牢掌握在三家公司手中。三星、SK 海力士和美光合计控制了全球 DRAM 市场超过 95% 的份额，形成了事实上的寡头垄断格局。

三星在财报中表示，预计 2026 年下半年以服务器为中心的需求将保持强劲，HBM 产能将持续紧张。

长鑫的搅局与半导体格局之变

在三巨头享受超级周期的同时，来自中国的挑战者正在逼近。

7 月 27 日，中国 DRAM 厂商长鑫科技在科创板挂牌上市，开盘市值达到 3.31 万亿元人民币，瞬间成为 A 股市值最高的公司。长鑫目前的全球 DRAM 市占率约为 8%-10%，排名第四。野村证券预测，到 2028 年长鑫的全球产能份额将攀升至 18%。

长鑫的崛起已经在资本市场上引发连锁反应。上市当天，美光股价下跌 5%，闪存厂商 SanDisk 暴跌 12%，SK 海力士的美股 ADR 跌掉 8.5%。

不过，三星在财报中也指出，其在 HBM 领域的技术领先优势依然牢固——长鑫目前受限于无法获得 ASML 的 EUV 光刻设备，在 HBM 战场大约落后两到三个技术世代。