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印度批准 2 个半导体新项目,涵盖氮化镓代工与 LED 封测

“AI摘要”

印度联邦内阁批准两个新的半导体制造项目,总投资约393.6亿卢比(约28.4亿元人民币),预计创造2230个技术岗位。项目位于古吉拉特邦:CML在Dholera建设化合物半导体工厂,生产6英寸氮化镓外延晶圆和显示模组;SSPL在Surat建设分立半导体器件OSAT工厂,设计产能超10亿片芯片。至此,印度半导体使命旗下项目增至12个,累计投资约1.64万亿卢比(约1183亿元人民币),持续加大半导体产业布局,聚焦氮化镓等第三代半导体材料。

  5月6日消息,印度联邦内阁近日批准了2个新的半导体制造项目,两家企业将在古吉拉特邦各建设一家半导体工厂。两项投资合计约393.6亿卢比(约合28.4亿元人民币),可创造2230个技术就业岗位。

  具体来看,CML将在Dholera建设一座化合物半导体制造与ATMP综合工厂,生产用于Mini/Micro LED的6英寸氮化镓外延晶圆和显示模组,年产能分别为24000套和7200平方米。SSPL则将在Surat建设分立半导体器件OSAT工厂,设计产能超10亿片芯片。

  印度半导体使命(ISM)旗下项目总数由此增至12个,累计投资额约1.64万亿卢比(约合1183亿元人民币)。印度近年来持续加大半导体产业布局力度,氮化镓作为第三代半导体材料,在显示、通信和电力电子领域应用前景广泛。

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