4月9日消息，半导体设备巨头应用材料推出两款适用于埃级工艺的沉积设备系统，已被领先逻辑芯片制造商在 2nm 及以下尖端工艺中导入。GAA 全环绕栅极结构正成为尖端工艺必然之选，但制造工序超过 500 道。
两款新设备分别为 Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD 和 Endura Trillium ALD。前者采用自下而上选择性沉积工艺，仅在沟槽必要位置沉积致密氮化硅层。后者为 GAA 优化的原子层沉积设备，可构建原子级均匀性的复杂金属栅极结构。
这两款设备可帮助晶圆厂灵活调节不同晶体管的阈值电压，通过精密沉积厚度控制塑造满足多样化参数要求的 GAA 晶体管，对 2nm 以下先进制程量产有重要推动作用。
