7月24日消息，近日，台积电总裁暨副董事长魏哲家（CC Wei）宣布，其3nm EUV工艺进展顺利，并已经与早期客户就技术定义进行了接触。

　　EUV光刻全称为Extreme Ultraviolet Lithography，是一种极紫外线光刻工艺。芯片制造商通过EUV光刻技术，能够持续生产更小、更快、更强大的芯片，同时还能有效控制成本。所以大家熟知的虚拟现实（VR）、自动驾驶、物联网等技术，都有赖于光刻技术的发展。

　　尽管突破10nm以下的芯片制造工艺，愈加艰难，但是台积电在该领域的前进步伐不曾放缓。就在今年4月份的时候，台积电宣布其采用EUV的5nm工艺已处于风险生产阶段，且与7nm工艺相比，相同的Cortex-A72内核实现了1.8倍的密度提升以及15％的速度提升。时隔不到4个月，台积电总裁魏哲家又宣布，他们在N3（3nm工艺）节点的技术开发进展顺利，且已经开始接触早期客户。不过，因N3（3nm工艺）技术目前仍处于早期开发阶段，故台积电尚未谈及其具体特征及优势。

　　台积电作为全球知名的半导体合约制造商，对于自己EUV工艺进展表示十分满意，并表示希望3nm制程能够进一步稳固其在未来行业之中的领导地位。

　　本文编辑：程金平